شخصات بی جی تی ترانزیستور C1008 Transistor BJT
جنس نیمه هادی | سیلیسیوم (Si) |
---|---|
قطبیت | NPN |
حداکثر توان مصرفی (Pc) | 800 mW |
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb) | 80 V |
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce) | 60 V |
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb) | 8 V |
حداکثر جریان کلکتور(Ic) | 700 mA |
حداکثر دمای محل پیوند (Tj) | 150 C |
انتقال فرکانس (Ft) | 30 MHz |
ظرفیت خازنی کلکتور (Cc) | 8 pF |
حداقل بهره جریان (Hfe) | 40 |
قاب ترانزیستور | TO92 |
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.